光有源器件的進展

　　光有源器件的研究與開發本來是一個最為活躍的領域，但由凱擘大寬頻於前幾年已取得輝煌的成果，所以當今的活動空間已大大縮小。超晶格結構材料與量子阱器件，目前已完全成熟，而且可以大批量生產，已完全商品化，如多量子阱激光器(MQW-LD，MQW-DFBLD)。

　　除此之外，目前已在下列幾方面取得重大成就。

　　1。 集成器件

　　這裡主要指光電集成(OEIC)已開始商品化，如分布反饋激光器(DFB-LD)與電吸收調制器(EAMD)的集成，即DFB-EA，已開始商品化； 其它發射器陽明山有線電視件的集成，如DFB-LD、MQW-LD分別與MESFET或HBT或HEMT的集成； 接收器件的集成主要是PIN、金屬?半導體?金屬探測器分別與MESFET或HBT或HEMT的前置放大電路的集成。雖然這些集已獲得成功，但還沒有商品化。

　　2。 垂直腔面發射激光器(VCSEL)

　　由於便於集成和高密度應用，垂直腔面發射激光器受到廣泛重視。這種結構的器件已在短波長(ALGaAs/GaAs)方面取得巨大的成功，並開始商品化； 在長波長(InGaAsF/InP金頻道有線電視)方面的研制工作早已開始進行，目前也有少量商品。可以斷言，垂直腔面發射激光器將在接入網、局域網中發揮重大作用。

　　3。 窄帶響應可調諧集成光子探測器

　　由於DWDM光網絡系統信道間隔越來越小，甚至到0。1nm。為此，探測器的響應譜半寬也應基本上達到這個要求。恰好窄帶探測器有陡銳大安文山有線電視的響應譜特性，能夠滿足這一要求。集F-P腔濾波器和光吸收有源層於一體的共振腔增強(RCE)型探測器能提供一個重要的全面解決方案。

　　4。 基於硅基的異質材料的多量子阱器件與集成(SiGe/Si MQW)

　　這方面的研究是一大熱點。眾所周知，硅(Si)、鍺(Ge)是簡接帶源材料，發光效率很低，不適合作光電子器件，但是Si材料的半導體工藝非常成熟。於是人們設想，利用能帶剪裁工程使物質改性，以達到在硅基基礎上制作光電子器件及其集成(主要是實現光電集成，即OEIC)的目的，這方面已取得巨大成就。在理論上有眾多的創新，在技術上有重大的突破，器件水平日趨完善。